[1] A. K. Geim and K. S. Novoselov; Nat. Mater. 6 (2007) 183.
[2] X. Li, X. Wang, L. Zhang, S. Lee, and H. Dai; Science 319 (2008) 1229.
[3] I. Meric, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, P. Kim, and K. L. Shepard; Nat. Nanotechnol. 3 (2008) 654.
[4] F. Schwierz; Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 487.
[5] B. Zhan, C. Li, J. Yang, G. Jenkins, W. Huang, and X. Dong; Small 10 (2014) 4042.
[6] M. C. Lemme, T. J. Echtermeyer, M. Baus, and H. Kurz; IEEE Electron Device Letters 28 (2007) 282.
[7] S. Kim, J. Nah, I. Jo, D. Shahrjerdi, L. Colombo, Z. Yao, E. Tutuc, and S. K. Banerjee; Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 062107.
[8] V. Ryzhii, M. Ryzhii, and T. Otsuji; Appl. Phys. Express 1 (2008) 013001.
[9] V. Ryzhii, M. Ryzhii, and T. Otsuji; Phys. Stat. Sol. (a) 205 (2008) 1527.
[10] F. Xia, D. B. Farmer , Y. M. Lin, and P. Avouris; Nano Lett. 1 (2010) 715.
[11] V. Ryzhii, M. Ryzhii, A. Satou, T. Otsuji, and V. Mitin; J. Appl. Phys. 109 (2011) 064508
[12] B. Obradovic, R. Kotlyar, F. Heinz, P. Matagne, T. Rakshit, M. D. Giles, M.A. Stettler, and D. E. Nikonov; Appl.Phys.Lett. 88 (2006) 142102.
[13] B. Huang, Q. Yan, G. Zhou, J. Wu, B. L. Gu, W. Duan, and F. Liu; Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 253122.
[14] Q. Yan, B. Huang, J. Yu, F. Zheng, J. Zang, J. Wu, B. L. Gu, F. Liu, and W. Duan; Nano Lett. 7 (2007) 1469.
[15] V. Ryzhii, M. Ryzhii, and A. Satou, and T.Otsuji; J. Appl. Phys. 103 (2008) 094510.
[16] Y. Ouyang, X. Wang, H. Dai, and J. Guo; Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 243124.
[17] T. Fang, A. Konar, H. L. Xing, and D. Jena; Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 0921109.
[18] A. A. Sukhanov and Yu. Ya. Tkach; Sov. Phys. Semicond. 18 (1984) 797.
[19] V. I. Ryzhii and I. I. Khmyrova; Sov. Phys. Semicond. 22 (1988) 807.